5x Fdc658ap 58a - Mosfet Canal P - 30v - 4a - 50r

5x Fdc658ap 58a - Mosfet Canal P - 30v - 4a - 50r

EMITIMOS NF DO PRODUTO

Função:
MOSFET de Potência (Power MOSFET): Especificamente, é um MOSFET de Potência de Canal P único (Single P-Channel). MOSFETs de potência são usados para chaveamento e amplificação de sinais eletrônicos, mas o canal P indica que este dispositivo é ativado quando uma tensão negativa é aplicada ao gate em relação à fonte.

Características Principais:
POWERTRENCH®: Fabricado usando a tecnologia POWERTRENCH® da onsemi (anteriormente Fairchild), que otimiza o desempenho, resultando em baixa resistência on-state (RDS(on)).
Nível Lógico: É projetado para ser acionado diretamente por níveis lógicos, o que simplifica o projeto da interface.
Características Específicas da Variante FDC658AP:
Tensão Dreno-Fonte: VDS = -30 V.
Corrente de Dreno:
ID Contínua (com VGS = -10 V): -4 A (limitada pela temperatura).
ID Pulsada: -20 A.
Resistência On-State:
RDS(on) = 50 mOHM (máximo) com VGS = -10 V e ID = -4 A.
RDS(on) = 75 mOHM (máximo) com VGS = -4.5 V e ID = -3.4 A.
Dissipação de Potência: 1.6 W a 25 °C.
Temperatura de Operação: -55°C a +150°C.
Pacote: TSOT-23 de 6 pinos, o que o torna compacto para uso em placas de circuito impresso densas.
RoHS: É livre de chumbo e alógeno, e compatível com RoHS.
Proteção: Desempenho térmico robusto, pois tem o ROJA 78°C/W e ReJc 30°C/W

Aplicações Típicas:
Gerenciamento de energia da bateria (Battery Management).
Chaveamento de carga (Load Switch).
Proteção da bateria (Battery Protection).
Conversores CC-CC (DC-DC Conversion).

Em resumo:
O FDC658AP é um MOSFET de potência de canal P projetado para chaveamento eficiente de energia, especialmente em aplicações alimentadas por bateria. Sua baixa resistência on-state e capacidades de acionamento de nível lógico o tornam adequado para uma ampla gama de aplicações. Além disso, seu pequeno tamanho e conformidade com RoHS o tornam uma boa opção para projetos modernos de montagem em superfície.