10x Irfbe30 Transistor Mosfet - Npn - 800v 4,1a (to-220)

10x Irfbe30 Transistor Mosfet - Npn - 800v 4,1a (to-220)

O Transistor IRFBE30 é um componente eletrônico de potência excepcionalmente robusto, desenvolvido para oferecer um controle preciso e eficiente da corrente em diversas aplicações de alta potência.
Com sua construção durável, este transistor proporciona uma baixa resistência de condução e uma capacidade de chaveamento confiável, garantindo um desempenho consistente mesmo em ambientes exigentes. Sua versatilidade o torna adequado para diversos de circuitos, incluindo fontes de alimentação, sistemas de controle de motores e dispositivos de eletrônica de potência. O Transistor IRFBE30 é uma escolha confiável para projetos industriais e comerciais que demandam alta qualidade e confiabilidade.

EMITIMOS NOTA FISCAL DO PRODUTO

Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: Atraves de Orificio
Caixa / Gabinete: TO-220-3
Polaridade do transistor: Canal N
Número de canais: 1 Canal
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 800 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 4.1 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 3 Ohms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V
Tensão de limite porta e fonte: 2 V
Qg - Carga na porta: 78 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 125 W
Modo de canal: Aprimoramento
Configuração: Sozinho
Altura: 15.49 mm
Comprimento: 10.41 mm
Série: IRFBE
Tipo de transistor: 1 Canal N
Largura: 4.7 mm
Transcondutância em avanço - Mín: 2.5 S
Tempo de queda: 30 ns
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 33 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tempo de retardo de desligamento típico: 82 ns
Tempo típico de ativação/retardo: 12 ns