3x Transistor Bdx33b - B3xy - Npn Darlington - 80v 10a

3x Transistor Bdx33b - B3xy - Npn Darlington - 80v 10a

EMITIMOS NF DO PRODUTO

Tipo: Transistor Darlington NPN de silício.

Aplicações:
Projetado para uso geral e aplicações de chaveamento de baixa velocidade.
Tensão Coletor-Emissor (VCEO): 80 V (mínimo).
Corrente Contínua de Coletor (Ic): 10 A.
Corrente de Pico de Coletor: 15 A.
Ganho de Corrente DC (hFE): 2500 (típico) em Ic = 4.0 A.
Tensão de Saturação Coletor-Emissor (VCE(sat)): 2.5 V (máximo) em Ic = 3.0 A.
Dissipação de Potência Total (PD): 70 W a Tc = 25°C. Reduzir a taxa de 0.56 W/°C acima de 25°C.
Resistores Shunt Base-Emissor Internos: Sim, construção monolítica com resistores shunt.
Encapsulamento: TO-220 (CASE 221A).
Faixa de Temperatura de Operação e Armazenamento (TJ, Tstg): -65°C a +150°C.
Conformidade: Livre de Pb (chumbo) e compatível com RoHS.

Em resumo: O BDX33B é um transistor Darlington NPN com alta capacidade de corrente, ganho elevado e construção monolítica, adequado para aplicações de chaveamento de baixa velocidade.