25x Transistor Npn Bc817-40 - 45v 0.5a Sot23 Smd - 6c 6cw

25x Transistor Npn Bc817-40 - 45v 0.5a Sot23 Smd - 6c 6cw

Descrição Geral:
Transistor NPN (Bipolar de Junção NPN) para uso geral em encapsulamento SOT23.
Adequado para aplicações de comutação e amplificação de áudio (AF).

Características e Benefícios Principais:
Ideal para inserção automática devido ao seu encapsulamento SOT23.
Construção do Die planar epitaxical.
Possui um tipo PNP complementar (BC807).
Totalmente livre de chumbo e totalmente compatível com RoHS.
Halogênio e Antimônio Free.
Limites Máximos Absolutos:
Tensão Coletor-Base (VCBO): 50 V
Tensão Coletor-Emissor (VCEO): 45 V
Tensão Emissor-Base (VEBO): 5.0 V
Corrente de Coletor (IC): 0.5 A
Corrente de Pico do Coletor (ICM): 1.0 A
Corrente de Pico da Base (IBM): 200 mA
Dissipação de Potência (PD):
310 mW (em placa de circuito impresso FR-4 com layout de pad mínimo)
350 mW (em placa de circuito impresso FR-4 com cobre de 15 mm x 15 mm)
Temperatura de Junção e Armazenamento (TJ, TSTG): -65 a +150 °C
Resistência a Descarga Eletrostática (ESD):
Modelo do Corpo Humano (ESD HBM): 8,000 V (Classe 3B)
Modelo Máquina (ESD MM): 400 V (Classe C)

Especificações Elétricas:
Tensão de Ruptura Coletor-Base (BVCBO): Mínimo de 50 V (Ic = 100 uA)
Tensão de Ruptura Coletor-Emissor (BVCEO): Mínimo de 45 V (Ic = 10 mA)
Tensão de Ruptura Emissor-Base (BVEBO): Mínimo de 5 V (IE = 100 uA)
Corrente de Corte Coletor-Emissor (ICES): Máximo de 100 nA (VCE = 45 V)
Corrente de Corte Emissor-Base (IEBO): Máximo de 100 nA (VEB = 5.0 V)
Ganho de Corrente DC (hFE): Típico de 400 (VCE = 1.0 V, Ic = 100 mA), Mínimo de 170 (VCE = 1.0 V, Ic = 300 mA).
Tensão de Saturação Coletor-Emissor (VCE(SAT)): 0.7 (Ic = 500 mA; Ib = 50 mA)
Tensão Base-Emissor (VBE): 1.2 V (VCE = 1.0 V, Ic = 300mA)
Produto Ganho Largura de Banda: 100 MHz (VCE = 5.0V, Ic = 10 mA, f = 50MHz)
Capacitância Coletor-Base (CCBO): 12 pF (VCB = 10V, f = 1 MHz)

Outras Informações:
Encapsulamento: SOT23
Código de Marcação: 6C