Buk768r3-60e - Transistor Mosfet 60v 75a - D2pak - Nxp

Buk768r3-60e - Transistor Mosfet 60v 75a - D2pak - Nxp

EMITIMOS NF DO PRODUTO

Tipo: MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) de Canal N.
Tecnologia: TrenchMOS, tecnologia da Nexperia para otimizar a eficiência e a densidade de potência do MOSFET.
Encapsulamento: D2PAK (TO-263). Um pacote para montagem em superfície que permite boa dissipação de calor.
Nível Lógico: Significa que requer uma baixa tensão de gate para ser completamente ativado, facilitando o uso com microcontroladores e drivers lógicos.

Características Principais:
Tensão Dreno-Fonte (VDS): 60V (máximo).
Corrente Contínua de Dreno (ID): 75A (com Tmb = 25°C e VGS = 10V - limitada pelo encapsulamento)
Resistência Dreno-Fonte Ligado (RDS(on)): 5.9 mohm (típico) @ VGS = 10V, ID = 20A.
Robustez à Avalanche: Repetitive avalanche rated, o que significa que o MOSFET é projetado para suportar surtos de tensão causados por eventos de avalanche repetitivos.
Aprovação Automotiva: Qualificado de acordo com o padrão AEC-Q101 para uso em aplicações automotivas.
Temperatura: Faixa de junção/armazenamento de -55°C to +175°C

Aplicações Típicas:
Sistemas automotivos de 12V
Controle de motores, lâmpadas e solenóides
Sistemas micro-híbridos Start-Stop
Transmissão

Chaveamento de Potência de Alto Desempenho
Vantagens:
Alta Corrente: Capaz de controlar altas correntes.
Baixa RDS(on): Minimia perdas de condução e melhora eficiência.
Nível Lógico: Facilidade de acionamento.
Aprovação Automotiva: Adequado para uso em aplicações automotivas exigentes.
Robustez: Projetado para resistir a condições adversas (temperatura e avalanche).

Considerações:
Dissipação de Calor: A potência dissipada pelo MOSFET pode ser significativa em altas correntes. Um dissipador de calor ou um bom layout de PCB são necessários para garantir que a temperatura da junção permaneça dentro dos limites especificados.
RDS(on) vs VGS: A resistência RDS(on) varia com a tensão VGS. Certifique-se de que a tensão de gate em sua aplicação seja suficiente para atingir a baixa RDS(on) especificada.

Em resumo, o BUK768R3-60E é um MOSFET canal N robusto e eficiente projetado para aplicações de chaveamento de potência de alta corrente, especialmente em ambientes automotivos exigentes.