Mosfet Si4386dy-t1-e3 30 V 11a 1.47w Ci Smd 8-soic

Descrição

Mosfet Si4386dy-t1-e3 30 V 11a 1.47w Ci Smd 8-soic

Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: SOIC-8
Polaridade do transistor: P-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 12.6 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 19.5 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 12 V, + 12 V
Tensão de limite porta e fonte: 1.4 V
Qg - Carga na porta: 70 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 2.5 W
Modo de canal: Enhancement
Nome comercial: TrenchFETMarca: Vishay Semiconductors
Configuração: Single
Altura: 1.75 mm
Comprimento: 4.9 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Série: SI4
Subcategoria: MOSFETs
Largura: 3.9 mm
Aliases de núm de peça: SI4427BDY-T1
Peso unitário: 187 mg


Visualizações: 9 Atualizado em: 31/01/2026
(Cód. 917217)

Tipo: Novo

Suzano/SP

R$ 33,00 Unidade
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