10x Ci Bsc084p03ns3 G Mosfet Canal P 30v 78.6a Optimos Smd

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EMITIMOS NOTA FISCAL DO PRODUTO

Atributo de produto Valor do atributo Selecionar atributo
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: TDSON-8
Polaridade do transistor: P-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 30 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 78.6 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 6.1 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 25 V, + 25 V
Tensão de limite porta e fonte: 3.1 V
Qg - Carga na porta: 57.7 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 69 W
Modo de canal: Enhancement
Nome comercial: OptiMOS
Série: OptiMOS P3
Marca: Infineon Technologies
Configuração: Single
Tempo de queda: 8 ns
Transcondutância em avanço - Mín: 33 S
Altura: 1.27 mm
Comprimento: 5.9 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 134 ns