2x Bsc028n06ls3 028n06ls Mosfet 60v 174a Infineon Smd

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EMITIMOS NF DO PRODUTO

O BSC028N06LS3 G é um MOSFET de potência de canal N da Infineon Technologies, parte da família OptiMOS 3. É projetado para aplicações de comutação de alta frequência e retificação síncrona, especialmente em conversores DC-DC. Possui resistência On (RDS(on)) muito baixa, o que minimiza as perdas de condução e melhora a eficiência energética.

Características Detalhadas:

Tecnologia: OptiMOS 3

Polaridade: Canal N (N-Channel)

Tensão Dreno-Source (VDS): 60V

Resistência On (RDS(on)): 2.8 mOHM (máximo) com VGS = 10V

Corrente de Dreno Contínua (ID): 174 A (limitada pela temperatura da junção)

Corrente de Dreno Pulsada (ID,pulse): 696 A

Energia de Avalanche: 298 mJ

Tensão Gate-Source (VGS): ±20V

Dissipação de Potência (Ptot): 139W (a Tc = 25°C)

Carga de Gate (Qg): 59 nC (típico)

Transcondutância (gfs): 60 S (mínimo)

Resistência Térmica Junção-Case (RthJC): 0.9 K/W

Faixa de Temperatura de Operação: -55°C a +150°C

Encapsulamento: PG-TDSON-8 (Power Gullwing Top-Down Source ON)

Montagem: Superfície (SMD)

RoHS: Em conformidade com a diretiva RoHS (livre de substâncias perigosas)

Qualificação: Qualificado de acordo com JEDEC para aplicações-alvo

Outros pontos:

Marking code 028N06LS

Aplicações Comuns:

Conversores DC-DC

Retificação síncrona

Comutação de alta frequência

Fontes de alimentação para servidores, computadores e outros equipamentos eletrônicos

Benefícios:

Alta Eficiência: A baixíssima resistência On reduz as perdas de condução, melhorando a eficiência.

Alta Capacidade de Corrente: Permite lidar com cargas de corrente elevada.

Boa Dissipação Térmica: O encapsulamento PG-TDSON minimiza a resistência térmica, facilitando a dissipação de calor.

Confiabilidade: Componente qualificado para garantir o desempenho em aplicações exigentes.

O BSC028N06LS3 G é uma excelente escolha para projetos que exigem alta eficiência e confiabilidade em aplicações de comutação de potência.