Kit 10 C.i Csd85312q3e Mosfet Dual 20v Smd Texas

Kit 10 C.i Csd85312q3e Mosfet Dual 20v Smd Texas

Fabricante: Texas Instruments
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: VSON-8
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 2 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 20 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 12 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 14 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 10 V, + 10 V
Tensão de limite porta e fonte: 1.1 V
Qg - Carga na porta: 11.7 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 2.5 W
Modo de canal: Enhancement
Nome comercial: NexFET
Marca: Texas Instruments
Configuração: Dual
Tempo de queda: 6 ns
Transcondutância em avanço - Mín: 99 S
Altura: 1 mm
Comprimento: 3.3 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 27 ns
Série: CSD85312Q3E
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico: 24 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 11 ns
Largura: 3.3 mm
Peso unitário: 32 mg