3000x Mosfet 20v P-channel - Si3443cdv Smd - Tsop-6 - Rolo

3000x Mosfet 20v P-channel - Si3443cdv Smd - Tsop-6 - Rolo

EMITIMOS NF DO PRODUTO

O Si3443CDV-T1-GE3 é um MOSFET de potência de canal P da Vishay Siliconix em encapsulamento TSOP-6, projetado para chaveamento eficiente em aplicações de baixa tensão. Ele é caracterizado por sua baixa resistência em estado ligado (RDS(on)), baixa carga de gate e conformidade com as normas ambientais (RoHS e livre de halogênio). É usado em HDD, em retificação assíncrona e chaves de carregamento.

Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFETs
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: TSOP-6
Polaridade do transistor: P-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 20 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 5.97 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 100 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 12 V, + 12 V
Tensão de limite porta e fonte: 1.5 V
Qg - Carga na porta: 7.53 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 3.2 W
Modo de canal: Enhancement
Nome comercial: TrenchFET
Marca: Vishay Semiconductors
Configuração: Single
Tempo de queda: 11 ns
Altura: 1.1 mm
Comprimento: 3.05 mm
Tipo de Produto: MOSFETs
Tempo de ascensão: 59 ns
Série: SI3
Subcategoria: Transistors
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico: 30 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 27 ns
Largura: 1.65 mm