10x Mosfet Si2323ds-t1 - D3 - Canal P 20v Rds(on) 4a Vishay

10x Mosfet Si2323ds-t1 - D3 - Canal P 20v Rds(on) 4a Vishay

EMITIMOS NF DO PRODUTO

O Si2323DS-T1-E3 da Vishay Siliconix é um MOSFET de canal P de 20V (dreno-fonte) em um encapsulamento SOT-23.

Descrição Detalhada:
Tipo de Componente: MOSFET de Potência (TrenchFET® Power MOSFET).
Canal: P (P-Channel) - O transistor conduz quando uma tensão negativa é aplicada ao gate em relação à fonte.
Tensão Dreno-Fonte (VDS): -20V (Tensão máxima suportada entre o dreno e a fonte).
Resistência Dreno-Fonte em Estado Ligado (RDS(on)):
0.039 ohm (máximo) com VGS = -4.5V
0.052 ohm (máximo) com VGS = -2.5V
0.068 ohm (máximo) com VGS = -1.8V
Corrente de Dreno Contínua (ID):
-4.7A com TA = 25°C
-3.8A com TA = 70°C
Corrente de Dreno Pulsada (IDM): -20A
Dissipação de Potência (PD):
25W com TA = 25°C
0.8W com TA = 70°C
Faixa de Temperatura de Junção e Armazenamento (TJ, TSTG): -55 a +150 °C

Características Adicionais:
Livre de halogênio de acordo com IEC 61249-2-21
Encapsulamento: SOT-23
T1 (Tape and Reel): Fornecido em fita e rolo.
E3 (Lead (Pb)-free): Sem chumbo, atende aos requisitos de RoHS.

Aplicações Típicas:
Chaves de carga (Load Switch)
Chaves de amplificadores de potência (PA Switch)

Em resumo, o Si2323DS-T1-E3 é um MOSFET de potência de canal P com baixa resistência on-state, capacidade de corrente decente e um tamanho compacto, tornando-o ideal para uma variedade de aplicações de comutação.