10x Irfbe30 Mosfet 800v 125w Ir Rectifier

10x Irfbe30 Mosfet 800v 125w Ir Rectifier

EMITIMOS NOTA FISCAL DO PRODUTO

Tipo: MOSFET de potência HEXFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).

Fabricante: International Rectifier (IOR).

Aplicação: Projetado para aplicações comerciais e industriais de propósito geral com níveis de dissipação de energia de até aproximadamente 50 Watts.

Características:

Classificação dinâmica de dv/dt (capacidade de suportar altas taxas de variação de tensão).

Classificação de avalanche repetitiva (capacidade de suportar condições de avalanche repetitivas).

Comutação rápida (adequado para aplicações de alta frequência).

Facilidade de paralelização (pode ser usado em configurações paralelas para aumentar a capacidade de corrente).

Requisitos de driver simples (fácil de controlar com circuitos de driver básicos).

Principais Características Elétricas:

VDSS (Tensão Dreno-Fonte): 800V.

RDS(on) (Resistência Dreno-Fonte Ligado): 3.0ohm (a VGS = 10V, ID = 2.5A).

ID (Corrente de Dreno Contínua): 4.1A (a TC = 25°C).

Valores Máximos Absolutos (Absolute Maximum Ratings):

ID (Corrente Dreno Contínua): 4.1A (a TC = 25°C, VGS = 10V), 2.6A (a TC = 100°C, VGS = 10V).

IDM (Corrente de Dreno Pulsada): 16A.

PD (Dissipação de Potência): 125W (a TC = 25°C).

VGS (Tensão Porta-Fonte): +-20V.

EAS (Energia de Avalanche de Pulso Único): 260mJ.

IAR (Corrente de Avalanche): 4.1A.

EAR (Energia de Avalanche Repetitiva): 13mJ.

dv/dt (Taxa de Variação da Tensão Diodo): 2.0 V/ns.

TJ (Temperatura de Junção de Operação): -55 a +150°C.

TSTG (Temperatura de Armazenamento): -55 a +150°C.

Em resumo, o IRFBE30 é um MOSFET de potência versátil e econômico, adequado para uma variedade de aplicações de comutação e controle de energia de média potência. Suas altas classificações de tensão e corrente, juntamente com suas características de comutação rápida, o tornam uma escolha popular para projetos de eletrônica de potência.