50x Mosfet Canal P -60v 1.25a Fdn5618p Logic Level

50x Mosfet Canal P -60v 1.25a Fdn5618p Logic Level

EMITIMOS NOTA FISCAL DO PRODUTO

O FDN5618P é um MOSFET de canal P (P-Channel MOSFET) da ON Semiconductor (anteriormente Fairchild Semiconductor), fabricado usando o processo POWERTRENCH. Ele foi otimizado para aplicações de gerenciamento de energia.

Características Principais:

Polaridade: Canal P (P-Channel)

Tensão Dreno-Source (Vds): -60V

Corrente Contínua de Dreno (Id): -1.25A (limitado pela dissipação de potência e temperatura)

Resistência Dreno-Source On-State (Rds(on)):

0.170 ohm (típico) a Vgs = -10V

0.230 ohm (típico) a Vgs = -4.5V

Velocidade de Comutação: Projetado para comutação rápida.

Tecnologia Trench: Usa tecnologia de trincheira (Trench) para minimizar a resistência RDS(on) e melhorar a eficiência.

Conformidade: Livre de chumbo (Pb-Free) e halogênio.

Encapsulamento:

SOT-23-3 (também conhecido como SOT-23)

Aplicações Típicas:

Conversores DC-DC

Comutação de carga

Gerenciamento de energia em geral

Características Elétricas:

Tensão Gate-Source (Vgs): ±20V (máximo)

Tensão Limiar Gate-Source (Vgs(th)): Mínimo -1V, típico -1.6V, máximo -3V.

Corrente Dreno On-State (Id(on)): -5A (mínimo) com Vgs = -10V e Vds = -5V

Capacitância de Entrada (Ciss): 430 pF (típico)

Resistência Térmica Junção-Ambiente (R0JA): 250 °C/W (nota 1a)

Benefícios:

Baixa RDS(on): A tecnologia POWERTRENCH oferece uma baixa resistência On-State, o que minimiza as perdas de condução e aumenta a eficiência em aplicações de comutação.

Comutação Rápida: O design otimizado permite comutação rápida, o que reduz as perdas de comutação e permite operação em frequências mais altas.

Nível Lógico: É um MOSFET de nível lógico ("Logic Level"), o que significa que ele pode ser acionado diretamente por microcontroladores e outros circuitos lógicos com tensões de saída mais baixas.

Pequeno Encapsulamento: O encapsulamento SOT-23 é compacto, tornando-o adequado para aplicações com espaço limitado.