Mosfet P-channel 40v/150a - Sud50p04-15-e3

Mosfet P-channel 40v/150a - Sud50p04-15-e3

EMITIMOS NF DO PRODUTO

O SUD50P04-15-E3 é um MOSFET de canal P de 40V e 150A fabricado pela Vishay. Vamos analisar suas características principais:

Tipo de Dispositivo:
MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor. É um transistor de efeito de campo usado para chavear ou amplificar sinais eletrônicos.

Canal P: Significa que ele conduz quando a tensão da porta (Gate) é mais negativa em relação à tensão da fonte (Source). É o oposto de um MOSFET de canal N.

Parâmetros Principais:
VDS (Tensão Dreno-Fonte): -40V: Tensão máxima que pode ser aplicada entre o dreno e a fonte sem danificar o dispositivo. O sinal negativo indica que a tensão da fonte deve ser mais positiva que a tensão do dreno para polarização reversa.

ID (Corrente de Dreno): -150A: Corrente contínua máxima que o MOSFET pode conduzir do dreno para a fonte. O sinal negativo indica que a corrente flui do dreno para a fonte no MOSFET de canal P. Essa corrente é geralmente especificada sob condições ideais de temperatura e dissipação de calor.

RDS(on) (Resistência Dreno-Fonte em estado ligado): 15 mOHM (miliohms) @ VGS = -10V: Resistência que o MOSFET oferece à passagem da corrente quando está completamente ligado (em condução). Um valor baixo de RDS(on) é desejável, pois minimiza a perda de potência (aquecimento) no dispositivo. Este valor é especificado para uma tensão Gate-Source (VGS) de -10V.

VGS(th) (Tensão de Threshold Gate-Source): -1V a -3V: Tensão mínima (negativa) que precisa ser aplicada entre a porta e a fonte para começar a conduzir corrente significativa entre o dreno e a fonte.

Encapsulamento: Geralmente, este tipo de MOSFET de alta corrente vem em um encapsulamento como o TO-252 (DPAK) ou TO-263 (D2PAK), projetados para montagem em superfície e boa dissipação de calor.

Características Adicionais (que podem ser encontradas no datasheet):

Qg (Carga da Porta): A quantidade de carga necessária para ligar e desligar o MOSFET. Importante para determinar a velocidade de chaveamento.

Capacitâncias de entrada, saída e reversa: Afetam o desempenho em aplicações de alta frequência.

Dissipação de potência: A quantidade máxima de potência que o MOSFET pode dissipar como calor, dependendo do encapsulamento e das condições de resfriamento.

Temperatura de operação: A faixa de temperatura na qual o MOSFET pode operar de forma confiável.

Aplicações Típicas:
Comutação de potência: Em conversores DC-DC, inversores e outras aplicações de gerenciamento de energia.

Controle de motores: Controlando a corrente para motores DC.

Drivers de LED: Controlando a corrente para LEDs de alta potência.

Proteção de carga reversa: Usado para proteger circuitos contra polaridade invertida.

Baterias e sistemas de gerenciamento de energia.