10x Mosfet Smt Canal P Bss84-7 - K84 Comutação/amplificação

10x Mosfet Smt Canal P Bss84-7 - K84 Comutação/amplificação

Descrição Geral:
MOSFET de canal P (P-Channel Enhancement Mode) em encapsulamento SOT23.
Fabricado pela Diodes Incorporated.
Projetado para minimizar a resistência no estado ligado (RDS(ON)) e manter um bom desempenho de comutação.
Adequado para aplicações de gerenciamento de energia de alta eficiência.

Características e Benefícios Principais:
Baixa resistência no estado ligado (RDS(ON)).
Baixa tensão de limiar de porta (Gate Threshold Voltage).
Baixa capacitância de entrada.
Velocidade de comutação rápida.
Baixo vazamento de entrada/saída (Low Input/Output Leakage).
Totalmente livre de chumbo e totalmente compatível com RoHS.
Halogênio e antimônio livre.
Para aplicações automotivas que exigem controle de mudança específico, consulte a peça com sufixo Q de grau automotivo relacionado.

Aplicações Típicas:
Interruptor de Interface de Uso Geral.
Funções de Gerenciamento de Energia.
Chave analógica.
Especificações Elétricas:
Tensão Dreno-Source (BVDSS): -50 V
Resistência Estática Dreno-Source On (RDS(ON) max): 10 ohm @ VGS = -5V
Corrente de Dreno Contínua (ID): -130 mA
Tensão Limiar da Porta (VGS(TH)): -0.8 V (Min), -2.0 V (Max)
Gate-Body Leakage (IGSS): +-10 nA
Capacitância de Entrada (Ciss): 24.6 pF (Typ), 45 pF (Max)
Resistência de Porta (Rg): 916 ohm

Características Térmicas:
Dissipação Total de Potência (PD): 300 mW
Resistência Térmica, Junção ao Ambiente (ROJA): 417 °C/W
Temperatura de Operação e Armazenamento (TJ, TSTG): -55 a +150 °C
Pinagem:
Conforme a representação no datasheet (SOT23):
Pino 1: Base
Pino 2: Emissor
Pino 3: Coletor

Outras Informações:
O BSS84 é um MOSFET de canal P, projetado para minimizar a resistência on-state.