3000x Vishay Si3443cdv-t1-ge3 Mosfet Ch P 20v 5,97a 6-tsop

3000x Vishay Si3443cdv-t1-ge3 Mosfet Ch P 20v 5,97a 6-tsop

Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: Si
Estilo de montagem: SMD/SMT
Caixa / Gabinete: TSOP-6
Polaridade do transistor: P-Channel
Número de canais: 1 Channel
Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 20 V
Id - Corrente de drenagem contínua: 5.97 A
Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 100 mOhms
Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 12 V, + 12 V
Tensão de limite porta e fonte: 1.5 V
Qg - Carga na porta: 7.53 nC
Temperatura operacional mínima: - 55 C
Temperatura operacional máxima: + 150 C
Pd - Dissipação de potência: 3.2 W
Modo de canal: Enhancement
Nome comercial: TrenchFET
Série: SI3
Marca: Vishay Semiconductors
Configuração: Single
Tempo de queda: 11 ns
Altura: 1.1 mm
Comprimento: 3.05 mm
Tipo de Produto: MOSFET
Tempo de ascensão: 59 ns
Subcategoria: MOSFETs
Tipo de transistor: 1 P-Channel
Tempo de retardo de desligamento típico: 30 ns
Tempo típico de ativação/retardo : 27 ns
Largura: 1.65 mm
Aliases de núm de peça: SI3443CDV-T1-BE3 SI3443CDV-GE3
Peso unitário: 20 mg